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忆阻器测试

忆阻器单元基础研究测试方案

概述：

忆阻器英文名为 memristor, 用符号 M 表示，与电阻 R，电容 C，电感 L 构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器 (RRAM)。

忆阻器备受关注的重要应用领域包括：非易失存储 (Nonvolatilememory)，逻辑运算 (Logic computing)，以及类脑神经形态计算 (Brain-inspired neuromorphic computing) 等。这三种截然不同又相互关联的技术路线，为发展信息存储与处理融合的新型计算体系架构，突破传统冯 • 诺伊曼架构瓶颈，提供了可行的路线。

在忆阻器研究不断取得新成果的同时，基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括：磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁电耦合器件等。

忆阻器基础研究测试

忆阻器研究可分为基础研究、性能研究以及集成研究三个阶段，此研究方法对阻变存储器 (RRAM)、相变存储器 (PCM) 和铁电存储器 (FeRAM) 均适用。

忆阻器基础研究阶段主要研究忆阻器材料体系和物理机制，以及对忆阻器器参数进行表征，并通过捏滞回线对忆阻器进行分类。