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器件级测试: 分立器件测试 IGBT电特性测试器件热特性测试

分立器件测试

半导体分立器件电性能测试解决方案

二极管/三极管/MOS管
· 正向压降(VF)
· 反向击穿电压(VR)
· C-V特性
· 输入/输出特性
· 阈值电压VGS(th)
· 漏电流/耐压
· 极间反向电流
· 反向击穿电压

利用数字源表(SMU)简化半导体分立器件特性参数测试压降(VF)

普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。

实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之—是数字源表(SMU)。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。解决了传统多台测试仪表之间编程、同步、接线繁杂及总线传输慢等问题。

常见测试

半导体分立器件包含大量的双端口或三端口器件，如二极管、晶体管、场效应管等。直流I-V曲线是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。分立器件的种类繁多，引脚数量及待测参数各不相同。除此以外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。

· 二极管特性的测量与分析

· 双极型晶体管BJT特性的测量与分析

· MOSFET场效应晶体管特性的测量与分析

· MOS器件的参数提取

普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。

系统结构

系统主要由一台或两台源精密源测量单元（SMU）、夹具或探针台、上位机软件构成。

以三端口MOSFET器件为例，共需要以下设备：

四线制电阻测量

普赛斯高精度数字源表（SMU）支持4线制测量功能，以解决在测量小电阻时，固有的线缆电阻带来的测量误差问题。

三同轴电缆保护电路

当测量低电平电流时，建议使用三同轴电缆。三同轴电缆有一个额外的屏蔽，而同轴电缆没有。这确保了更低的电流泄漏，更好的R-C时间恒定响应，和更大的抗噪声性。

二极管测试

二极管的主要参数有正向导通压降（VF）、反向漏电流（ID）和反向击穿电压（VR）等。

三极管测试

三极管是电流放大器件，主要参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO/I CEO、反向击穿电压VEBO/VCBO/VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。

以双端口二极管为例，系统主要由1台普赛斯高精度数字源表（SMU）、夹具、上位机软件构成。

MOSFET测试

MOS管主要参数有开启电压VT(也称阈值电压VGS(th)或夹断电压Vp、零栅电压漏电流IDSS，输入/输出特性曲线、低频互导gm、输出电阻RDS，最大漏源电压VDS等。